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国家信息光电子创新中心等四单位研发的100G硅光收发芯片正式投产

  发布时间:20-06-12

◄ α ↑ 日前,由国家信息光电子创新中心、光迅科技·公司、光纤通信技『术和网络国家重点实验室、中国▉信息通信科技集团联合研制成功的“100G硅光收发芯片”正式投产使用。实现1〾00G/200G全ⓛ集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产,并通过了用户现网测试∑,性能稳定可靠,为8∕0公里以上跨距的10♦0G/200G|相干∏光通信设备提供超小型、高性能、通用化的解决方案。

该款商用化Φ硅光芯片在一个不到30平方毫米的硅芯片上Ⅱ集成了包括光发送、调制、接收等近60҉个有源和无源光元件,是目前国际上已报道的集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。该芯片完成封装后,其硅光器件产品的尺寸仅为312平方毫米,面积为传统器件的三分之一,可☏以全面满足CFP/CFP2(外形封装可插拔)相干光模块的需︰求。

国家Ю信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士┖表示:“硅材Ⅺ料来源丰富,成本低,机械性能、耐高温能力非常好,便于芯片加工和封装。借助集成电路已大规模商用的CMOS‖∠工艺平台实现硅光芯片●·的生产制造,可以有效解决我Э国高端光电子芯片制造能力薄弱、工≤艺能力不足的问题。不过,硅材料属间接带隙半导体材料,需要解决硅基光源加工和众多光元件集成难题;硅材料不存在线〖性电光效应和光电探测功√能,也需要解|︴()〔〕决调制器加≒工和锗硅外延生长难题。加上硅光芯片对高端光器件的带宽、集成度、性能、功⊙耗、可靠性和成本等要求〨极高,使得多年来硅光芯片一直是我国Щ光通信行▧业的一只拦路虎。‰此次工信部主导成立国家信息光电子创新中心,及时推动四家单位通力合◆作实现了100G硅光芯片的产业化商用,〧不仅展现出硅光技术优势,也表明我国已经具备了硅光г产品商用化设计的条件和基础。我们十░分期待〢未⊙来Ё▅▆几年硅光技术在光通信系统ō中的大规模部◢署和应用,推动我国自主硅光芯片技术向超高速超大容量超长距离、¤高集成度、高性能、低≥功耗、高可靠方向发展。”

图:(左) 100G/200G硅基相干光收发芯片

(中)硅光У发射机1≌28Gb/s PDM-QPSK星座图

(右)硅‖|光发射机256Gb/s PDM-16QA┆┇M星座图